Справедливости ради, магнитная лента не совсем канула в лету. До наших дней дожила и используется технология LTO, которая вмещает десятки терабайт на одном картридже LTO8/9. Применяется естественно для бэкапов в серверном сегменте, хотя некоторые энтузиасты используют прошлые поколения технологии у себя дома, (привет Fagear) ибо это надёжно
Сколько стоит рекордер и при каком объёме данных система хранения на лентах станет выгодней HDD? Когда прикидывал для себя, такой объём в жизни бы не набрал (ну может, если бы подключился к SETI, то да) И момент износа ленты при чтении напрягает. Это чисто для холодного хранения.
45 тб стоит чуть больше 30 тыс, в розницу, и если тебе надо бекапить реально большие объемы то стоимость кассетной деки или LTO стримера окупится через пару десятков касет
Если SSD записывать при низкой температуре, а хранить при высокой, то уже за неделю лежания на полке ячейки растеряют свои заряды. Дело в зависимости сопротивления изолятора от температуры. Через горячий изолятор электроны быстрее утекают, через холодный тяжелее записывать. И наоборот.
По поводу состояний ошибка. Есть следующие типы плотности: SLC, MLC, TLC, QLC SLC - 2 состояния (0 или 1) MLC - 4 состояния (00 - 11) TLC - 8 состояний (000-111) QLC - 16 состояний (0000-1111) И все эти состояния внутри градируются зарядом транзистора.
@@sergc9068 Zip у меня где-то сохранился с парой-тройкой дисков. (... ZIP'ам "карьеру подпортил" т.н. "клик".) Но были и более ёмкие. Вроде бы _«В середине 1990-х имели относительно невысокую удельную стоимость (среди сменных накопителей) - около 27-50 центов США за мегабайт в 1994 году.»_ ...но цена самих девайсов кусалась очень больно, так что низкая популярность оставалась стабильной. Помнится, чеще всего их использовали полиграфисты. (Мало кому ещё было нужно регулярно перетаскивать до сотни мегабайт.) ...а для архивного хранения с ними конкурировал -колорадский жук- colorado backup. (Тоже имеется "на архивной полке", в комплекте с несколькими лентами.) PS Ах, да! Ещё были любопытные [формфактором] HDD, которые к IDE подключелись через "специальный" переходник [+ специальное гнездо, в которое такой HDD можно было втыкать при переносе] и представляли собой плоскую коробочку (полудюймовой толщины), скрывавщую "нежное пузико" с контроллером. (Наружу выходил только разьём, типа миниатюрного LPT.) [Такое изделие тоже где-то в загашниках лежит. 256Mb] (Выпускали такое Fudjitsu, Kalok [вероятно по лицензии, т.к. даже платы контроллера были взаимозаменяемы]. Возможно и кто-то ещё. [Под "подозрением" какие-то индусы, имени которых за давностью в 30+ лет не помню.])
@@You_me_and_kids Ля ты наверноебы удивилсябы ещё узнав аналоги электрических величин в механике, а ещё аналоги радиоэлементов в механике. Тогдаб пипец как пробилобы на понимание...
По PROM, это не только пережигаемые перемычки существует несколько технологических реализаций - например, необратимым пробоем диэлектрика (либо более редкий вариант "вплавлением" через p-/n- переход) или лавинной инжекцией заряда через подзатворный диэлектрик в матрице обычных транзисторов, затвор которых не подключен электрически и т.о. является плавающим (FAMOS, или floating gate avalanche MOS транзисторы) и т.д. Далее, в части EPROM показан только один метод записи в плавающий затвор - туннелирование через туннельный диэлектрик по механизму Фоулера-Нордхайма и только один тип транзистора - n- канальный, тогда как существовал так же и p-канальный, а запись могла осуществляться и инжекцией дырок. До сегодняшнего дня в некоторых продуктах так же используется метод лавинной инжекции заряда в плавающий затвор, когда на управляющий затвор не подаётся высокое напряжение, достаточно небольшого вертикального поля, при этом создается латеральное электрическое поле между стоком и истоком, достаточное для создания лавины электронно-дырочных пар на истоке (или стоке) при этом, часть "горячих" электронов, обладая достаточной энергией для преодоления потенциального барьера туннельного диэлектрика, попадает т.о. в плавающий затвор. Горячие электроны в канале транзистора изнашивают тунельный диэлектрик как наждачка, в отличие от механизма тунелирования Фоулер-Нордхайм, а так же требует на порядки больше тока в операциях записи на одну ячейку, всвязи с чем Ф-Н практически вытеснил программирование горячими электронами, однако не полностью. Основное преимущество записи горячими электронами - время на операцию порядка десятков микросекунд, в то время как Ф-Н требует сотни микросекунд и даже миллисекунды. В современных вариантах ячейка EEPROM/flash (в embedded ячейки одинаковые для упрощения и удешевления технологического процесса) может быть реализована как с плавающим затвором (обычно это поликремний), а може и использовать слой нитрида кремния Si3N4 вместо поликремния. В последнем случае в слое нитрида кремния на границе раздела с туннельным диэлектриком в нитриде кремния образуются энергетические ловушки, обладающие суммарным полем полодительного потенциала, которые захватывают электроны поступающие через туннельный диэлектрик и удерживают их. Механизм Ф-Н называют в этом случае модифицированным Ф-Н или trap assisted tunneling. Это позволяет снизить толщину туннельного окисла и, как следствие, прикладываемое к ячейке памяти напряжение записи и стирания. В плавающем затворе электроны находятся в "свободном состоянии" и могут утечь при любом повреждении туннельного окисла, в то время как в нитриде кремния они в связаном и локальное повреждение диэлектрика не приведёт к существенному изменению состояния ячейки памяти, что делает нитридные ячейки выбором номер один для жёстких сред - космос, энергетика и для систем длительного и надёжного хранения. Кроме того, более низкие напряжения записи и стирания, более высокая диэлектрическая приницаемость сделала нитридную ячейку по сути безальтернативной в плотных массивах 3D flash.
Раньше очень ждал новых выпусков, да, тема ""диодов" уже полностью раскрыта на вашем канале. Но смотря данный ролик ощущение "так это ж было"... Да и HDD и CD - это не "одни намагничены, а вторые считываются лазером". Успеха Hi Dev! в новом формате!!!
Очень интересное направление вы выбрали. Мне интересна рубрика устройство элементов компьютера. Особенно интересно когда вы рассказываете переход от первого устройства (как перфокарта) до нашего современного
Надо ещё отметить, что транзисторы с плавающим затвором используют эффект квантового туннелирования, когда электроны проходят сквозь диэлектрик (т. е. барьер), для которого у них недостаточно энергии. В классической механике это невозможно, а в квантовой - работает и используется.
@@fettlery вопрос неправильно поставлен зачем проходить? чтоб оказаться на "плавающем затворе". Поскольку им энергии не хватает - они НЕ ПОКИДАЮТ "плавающий затвор" после программирования (ну, до ПЕРЕпрограммирования ("стирания"))
Эффект туннелирования может и квантовый, но диэлектрик все же портится как настоящий. Да и про сотни тысяч циклов перезаписи автор загнул. SSD сыпятся намного раньше. И не надо мне только говорить про фирменные, или подделки, сыпятся все, просто фирменные немного медленнее.
Вау, просто суперское видео, и доступно и в то же время очень подробно разобран принцип работы памяти! И даже про типы памяти в конце сказал и почему у них разная износостойкость!
В начале видео в части энергозависимой памяти (на примере DRAM) единицу или ноль образуют не транзисторы выборки, которые открываются или закрываются, а наличие или отсутствие заряда на конденсаторе хранения уровня заряда. По сигналу выборки (приходит с декодера на затвор транзистора выборки, а сама линия может называться word line, select line ... и на видео это горизонтальные линии) ключ - одно из названий транзистора выборки, соединяет эту ёмкость с bit line (на видео это вертикальные линии). Собственная ёмкость этой побитовой линии может содержать уже какой-то заряд к началу чтения (шаг предзарядки линии в операции чтения) и этот заряд формирует начальную рабочую точку (напряжение) для усилителя считывания. Конденсатор с наличествующим или отсутствующим на нём зарядом (когда-то записанное в операции записи тем же усилителем зарядовое состояние) смещает эту рабочую точку через перераспределение заряда в общей системе (конденсатор - bit line через транзистор выборки). Если на конденсаторе нет заряда, то напряжение на bl падает, а усилитель считывания интерпретирует/оцифровывает это падение как "0" (или "1" - в некоторых архитектурах энергетически более выгодно работать с инвертированным значением), если есть, то этот заряд может немного поднять напряжение на bl и тогда устлитель интерпретирует это состояние как "1" (или "0" в архитектурах с инверсией). В динамических ОЗУ конденсаторы теряют заряд на токах утечки, поэтому, с установленной периодичностью состояние всех хранящих ёмкостей считывпется и перезаписывается (операция обновления данных или refresh). В статических ОЗУ refresh не требуется, система проще и энергетически более выгодна. Однако у обоих типов ОЗУ принцип чтения примерно одинаков: предзаряд bit line = формирование начальной рабочей точки для усилителя считывния и далее установление электрического соединения элемента хранения с bit line путём выборки = открытие ключа и смещение рабочей точки по напрчжению, которую усилитель считывания затем интерпретирует/оцифровывпет как "1" или "0".
Самое понятное объяснение! Долго пытался узнать, как работает SSD память. Всегда спрашивал, как работает, но ответ был типа там подается ток и там 1 или 0 в ячейке памяти остается, а как это работает никто не знал.
Лучше комбинировать HDD и SSD, я например то, что часто перезаписывается закидываю на HDD, чтобы SSD не убивать, а то что нужно чтобы быстро работало и не часто перезаписывается записываю на SSD. Так же то, что нужно просто хранить долго пишу на HDD т.к. в случае выхода из строя проще данные восстановить, чем с SSD.
Знакомые рассказывали, что программисты одного из закрытых НИИ во времена СССР развлекались с перфокартами и перфолентами. В итоге ЭВМ играла простенькую мелодию.
Нашел я как то в лесу платку 30 на 25см с кучей микросхем загуглил маркировку оказалось оперативка 1987 года на целых 0,5Мб И у одной из микросхем тоже было такое окошко Пока это самое красивое что я видел
Отличное видео спасибо магнитные ленты и сейчас используются в коммерческих накопителях их преимущества в том что они могут хранить информацию до 50 лет
@@dmitria6847 Не соглашусь с вами. Вы представляете себе объём трудозатрат, на создание такого контента? Уровень графики при создании видео! Причём сам материал излагается максимально доступно для самой широкой аудитории. И всё это бесплатно. Авторы просто заслуживают восхищения.
К сожалению, достаточно неточностей и недостаточные объем и глубина проработки темы. Не типично для канала. Но и невозможно быть во всём сведущим. И за эту популяризацию спасибо.
Можно было ещё углубиться в количество состояний/ячеек и добавить типы памяти и как это всё согласутеся с долговечностью и быстродействием и где и почему используется. Я про SLC, TLC, MLC, QLC и т.д. кэши и диски.
Да это самое важное, чего я не дождался и запарился искать в нете. Разные состояния заряда одного затвора как на практике увеличивают плотность записи? По логике затворов несколько или транзисторов в гирлянде по несколько типа как диод один светит а набран из трех
@@costea. Как? Просто. У тебя один и тот же транзистор хранит 2 бита вместо 1. Увеличение плотности от этого почти в 2 раза (управляющая электроника тоже должна немного вырасти, но кратно меньше, чем если городить в 2 раза больше транзисторов). Зачем несколько затворов? Всё решается на уровне обвязки, а не самого транзистора.
@@U2VR_Channel как один затвор или один транзистор может хранить несколько уровней? Особенно tlc qlc. Там по логике их три или четыре в последовательности и запись идет сначала как на однобитный (кстати динамический кэш) а потом как то уровни заряда навер зависят от силы напряжения и толщины затвора.
Ну, так в колледже/школе/вузе задачи другие. Цели у преподавателей тоже другие. Если бы в колледже раз в неделю-две 10-15 минут преподавали всего лишь - то знаний бы было у учеников около нуля (зато интересно!), а уроки были бы примерно такие же хорошие. Чтобы понять, почему в школах, колледжах и вузах так "плохо" преподают - достаточно встать на место преподавателя. Я был на месте преподавателя, и поверь, это всё не от хорошей жизни там. Сплошная бюрократия. Ученики незаинтересованные, ибо не сами как вот ты сюда на видос пришёл, а все, кто попало. Зарплата такая, что не выжить. Постоянно работаешь на грани с выгоранием. Орущие на детей преподы - давно выгорели, а срывы - последствие этого. Сейчас после 4 лет преподавания 3 года программистом работаю, и проклинаю себя за потерянные 4 года.
Про памяти и как работает, можете ещё посмотреть на канеле Droider те ребята тоже хорошо объясняют, что как работает. Я посмотрел ихние видео про памяти и смотрю это видео, скажу, что оба канала круто сделали контент, просто надо уметь, знать и чувствовать вот этот подход каждого канала. Здесь Николай рассказал с точки зрения электронщика, а там как с точки зрения комп.инженера. Спасибо огромное👍 больше успехов!
17:50 если под состоянием понимается n-мерность, то раньше он был 2 мерным и мог хранить 2 состояния каждой ячейки, т.е. 2^2=4, то следующая мерность - 3 состояния, и это будет не "до пяти", а 2^3, т.е. до 8 состояний
на перфокарте 1 столбец это 8 позиций (1байт). 80 столбцов на карту, т.о на 1ГБ потребуется 1024*1024*1024 / 80 около 15млн. карт, положим вес граммов 10... получается 100-200 тонн
Если раньше было 2 сосояния транзистора - открыт или закрыт, теперь их больше. Например на затворе сохранялся потенциал напряжения в 5 вольт, и со временем это напряжение снижалось. То теперь они сделали несколько таких состояний - значит время перехода с одного сост. в другое уменьшится пропорционально, в разы. Скажем от 5В это состояние открыт до 1,5В это закрыт пройдет 20 лет, современный имеет 16 состояний - а значит от перехода с одного значения в другое пройдет в 16 раз меньше времени и все - инфа потеряна! Сами производители не дают более 3х лет гарантии на хранение инфы на 3D NAND
Где-то в начале нулевых вышли последние бумажные журналы с обзором новшеств в технологиях памяти. Часть этих технологий прижилась, часть канула в лету, и непонятные и никем не комментируемые термины стали понятны когда мне на глаза попался старый такой журнал.
Справедливости ради, магнитная лента не совсем канула в лету. До наших дней дожила и используется технология LTO, которая вмещает десятки терабайт на одном картридже LTO8/9. Применяется естественно для бэкапов в серверном сегменте, хотя некоторые энтузиасты используют прошлые поколения технологии у себя дома, (привет Fagear) ибо это надёжно
Некоторые энтузиасты и LTO9 домой покупают для бэкапов
Ну в том то и дело что "дожила". Так то и дискеты еще в полном ходу.
Кто-то ещё помнит Арвид? )
Сколько стоит рекордер и при каком объёме данных система хранения на лентах станет выгодней HDD?
Когда прикидывал для себя, такой объём в жизни бы не набрал (ну может, если бы подключился к SETI, то да)
И момент износа ленты при чтении напрягает. Это чисто для холодного хранения.
45 тб стоит чуть больше 30 тыс, в розницу, и если тебе надо бекапить реально большие объемы то стоимость кассетной деки или LTO стримера окупится через пару десятков касет
Николай, я просто не понимаю, откуда ты знаешь про всё это.
Уважение и огромная благодарность за труды!
🤝 🤝 🤝
А представьте себе непостоянное запоминающее устройство) со своим настроением)))
😂
Озу
Пф, моя бывшая
Если SSD записывать при низкой температуре, а хранить при высокой, то уже за неделю лежания на полке ячейки растеряют свои заряды.
Дело в зависимости сопротивления изолятора от температуры. Через горячий изолятор электроны быстрее утекают, через холодный тяжелее записывать. И наоборот.
@@gimeron-dbпо этой логике фотки, сделанные на телефон зимой должны стираться дома при комнатной температуре
Лучшее объяснение я нигде не видел. Смотрю 4-е видео подряд. Так легко становится понятным сложные до этого вещи. Лучший канал про электронику!
Отлично. Попробую показать дочери, как раз недавно задавала вопрос на эту тему.
По поводу состояний ошибка. Есть следующие типы плотности: SLC, MLC, TLC, QLC
SLC - 2 состояния (0 или 1)
MLC - 4 состояния (00 - 11)
TLC - 8 состояний (000-111)
QLC - 16 состояний (0000-1111)
И все эти состояния внутри градируются зарядом транзистора.
Ну и SSD по любому хранит где-то рядом избыточный код коррекции ошибок и время от времени проверяет/перезаписывает данные.
Да.
Интересно получилось.
Ждём продолжения про развитие накопителей информации.
Николай спасибо что ушёл из голоса за кадром, и теперь с нами говорит человек это прям +100500 ❤
Хотелось бы услышать про такого редкого зверя, как магнитооптический диск)
"Промежуточное звено".
Меня самого удивило, что автор пропустил эту мега штуку. У меня дома валяется один такой, правда привода нет... :(
@@sergc9068 Zip у меня где-то сохранился с парой-тройкой дисков.
(... ZIP'ам "карьеру подпортил" т.н. "клик".)
Но были и более ёмкие.
Вроде бы _«В середине 1990-х имели относительно невысокую удельную стоимость (среди сменных накопителей) - около 27-50 центов США за мегабайт в 1994 году.»_ ...но цена самих девайсов кусалась очень больно, так что низкая популярность оставалась стабильной.
Помнится, чеще всего их использовали полиграфисты. (Мало кому ещё было нужно регулярно перетаскивать до сотни мегабайт.)
...а для архивного хранения с ними конкурировал -колорадский жук- colorado backup. (Тоже имеется "на архивной полке", в комплекте с несколькими лентами.)
PS Ах, да! Ещё были любопытные [формфактором] HDD, которые к IDE подключелись через "специальный" переходник [+ специальное гнездо, в которое такой HDD можно было втыкать при переносе] и представляли собой плоскую коробочку (полудюймовой толщины), скрывавщую "нежное пузико" с контроллером.
(Наружу выходил только разьём, типа миниатюрного LPT.)
[Такое изделие тоже где-то в загашниках лежит. 256Mb]
(Выпускали такое Fudjitsu, Kalok [вероятно по лицензии, т.к. даже платы контроллера были взаимозаменяемы]. Возможно и кто-то ещё. [Под "подозрением" какие-то индусы, имени которых за давностью в 30+ лет не помню.])
@@sergc9068 вскользь упомянуто было.
Наконец то я понял как работает транзистор, все наглядно и понятно)))
Мое почтение!!!
Это же не обычный транзистор
@@ClydeSimonSound не важно, показан как происходит переход сток/исток
Так как базе был подан положительный заряд и отрицательный создали путь
@@You_me_and_kids Ля ты наверноебы удивилсябы ещё узнав аналоги электрических величин в механике, а ещё аналоги радиоэлементов в механике. Тогдаб пипец как пробилобы на понимание...
Очень интересный цикл роликов. Продолжайте. Смотрим с удовольствием.
Благодарю! Мне бы такого учителя в школьные годы
В 6.00 утра в субботу смотрю познавательный канал😊
Спасибо за познавательный ролик! Давно задавался вопросом, как работает ПЗУ!)
По PROM, это не только пережигаемые перемычки существует несколько технологических реализаций - например, необратимым пробоем диэлектрика (либо более редкий вариант "вплавлением" через p-/n- переход) или лавинной инжекцией заряда через подзатворный диэлектрик в матрице обычных транзисторов, затвор которых не подключен электрически и т.о. является плавающим (FAMOS, или floating gate avalanche MOS транзисторы) и т.д.
Далее, в части EPROM показан только один метод записи в плавающий затвор - туннелирование через туннельный диэлектрик по механизму Фоулера-Нордхайма и только один тип транзистора - n- канальный, тогда как существовал так же и p-канальный, а запись могла осуществляться и инжекцией дырок. До сегодняшнего дня в некоторых продуктах так же используется метод лавинной инжекции заряда в плавающий затвор, когда на управляющий затвор не подаётся высокое напряжение, достаточно небольшого вертикального поля, при этом создается латеральное электрическое поле между стоком и истоком, достаточное для создания лавины электронно-дырочных пар на истоке (или стоке) при этом, часть "горячих" электронов, обладая достаточной энергией для преодоления потенциального барьера туннельного диэлектрика, попадает т.о. в плавающий затвор. Горячие электроны в канале транзистора изнашивают тунельный диэлектрик как наждачка, в отличие от механизма тунелирования Фоулер-Нордхайм, а так же требует на порядки больше тока в операциях записи на одну ячейку, всвязи с чем Ф-Н практически вытеснил программирование горячими электронами, однако не полностью. Основное преимущество записи горячими электронами - время на операцию порядка десятков микросекунд, в то время как Ф-Н требует сотни микросекунд и даже миллисекунды.
В современных вариантах ячейка EEPROM/flash (в embedded ячейки одинаковые для упрощения и удешевления технологического процесса) может быть реализована как с плавающим затвором (обычно это поликремний), а може и использовать слой нитрида кремния Si3N4 вместо поликремния. В последнем случае в слое нитрида кремния на границе раздела с туннельным диэлектриком в нитриде кремния образуются энергетические ловушки, обладающие суммарным полем полодительного потенциала, которые захватывают электроны поступающие через туннельный диэлектрик и удерживают их. Механизм Ф-Н называют в этом случае модифицированным Ф-Н или trap assisted tunneling. Это позволяет снизить толщину туннельного окисла и, как следствие, прикладываемое к ячейке памяти напряжение записи и стирания. В плавающем затворе электроны находятся в "свободном состоянии" и могут утечь при любом повреждении туннельного окисла, в то время как в нитриде кремния они в связаном и локальное повреждение диэлектрика не приведёт к существенному изменению состояния ячейки памяти, что делает нитридные ячейки выбором номер один для жёстких сред - космос, энергетика и для систем длительного и надёжного хранения. Кроме того, более низкие напряжения записи и стирания, более высокая диэлектрическая приницаемость сделала нитридную ячейку по сути безальтернативной в плотных массивах 3D flash.
Про перезаписываемые оптические диски с удовольствием послушаю
Да! Про оптические диски тоже нужно рассказать💿📀💾💽😀
Мечта сбылась, такое видео вышло
Видео про диски нужно обязательно!!!
17:38 Поправка: не до 5 состояний, а до 8 (2^3 - 2 состояния в 3 разрядах)
Тоже приорал от пяти состояний!
Раньше очень ждал новых выпусков, да, тема ""диодов" уже полностью раскрыта на вашем канале. Но смотря данный ролик ощущение "так это ж было"... Да и HDD и CD - это не "одни намагничены, а вторые считываются лазером". Успеха Hi Dev! в новом формате!!!
Очень интересное направление вы выбрали. Мне интересна рубрика устройство элементов компьютера. Особенно интересно когда вы рассказываете переход от первого устройства (как перфокарта) до нашего современного
Хотим !!!!!!
Надо ещё отметить, что транзисторы с плавающим затвором используют эффект квантового туннелирования, когда электроны проходят сквозь диэлектрик (т. е. барьер), для которого у них недостаточно энергии. В классической механике это невозможно, а в квантовой - работает и используется.
может наоборот, электроны не проходят барьер?
@@fettlery проходят, выше правильно сказано
@@maximmikhailov879 тогда не понятно, зачем им проходить барьер, если они носитель информации, когда им не хватает энергии... ?
@@fettlery вопрос неправильно поставлен
зачем проходить? чтоб оказаться на "плавающем затворе". Поскольку им энергии не хватает - они НЕ ПОКИДАЮТ "плавающий затвор" после программирования (ну, до ПЕРЕпрограммирования ("стирания"))
Эффект туннелирования может и квантовый, но диэлектрик все же портится как настоящий. Да и про сотни тысяч циклов перезаписи автор загнул. SSD сыпятся намного раньше. И не надо мне только говорить про фирменные, или подделки, сыпятся все, просто фирменные немного медленнее.
Спасибо! Коротко и предельно понятно 👍
Вау, просто суперское видео, и доступно и в то же время очень подробно разобран принцип работы памяти! И даже про типы памяти в конце сказал и почему у них разная износостойкость!
в восторге от сего канала, от подачи материала и от самого материала, всеми руками и ногами неистово лайкаю!)
Наверное одно из самых понятных объяснений устройства транзисторов в современной электронике👍
О! Спасибо большое! Так много прояснилось в этом аспекте :)
Обалденный выпуск, всё классно объяснено. Спасибо!
В начале видео в части энергозависимой памяти (на примере DRAM) единицу или ноль образуют не транзисторы выборки, которые открываются или закрываются, а наличие или отсутствие заряда на конденсаторе хранения уровня заряда. По сигналу выборки (приходит с декодера на затвор транзистора выборки, а сама линия может называться word line, select line ... и на видео это горизонтальные линии) ключ - одно из названий транзистора выборки, соединяет эту ёмкость с bit line (на видео это вертикальные линии). Собственная ёмкость этой побитовой линии может содержать уже какой-то заряд к началу чтения (шаг предзарядки линии в операции чтения) и этот заряд формирует начальную рабочую точку (напряжение) для усилителя считывания. Конденсатор с наличествующим или отсутствующим на нём зарядом (когда-то записанное в операции записи тем же усилителем зарядовое состояние) смещает эту рабочую точку через перераспределение заряда в общей системе (конденсатор - bit line через транзистор выборки). Если на конденсаторе нет заряда, то напряжение на bl падает, а усилитель считывания интерпретирует/оцифровывает это падение как "0" (или "1" - в некоторых архитектурах энергетически более выгодно работать с инвертированным значением), если есть, то этот заряд может немного поднять напряжение на bl и тогда устлитель интерпретирует это состояние как "1" (или "0" в архитектурах с инверсией). В динамических ОЗУ конденсаторы теряют заряд на токах утечки, поэтому, с установленной периодичностью состояние всех хранящих ёмкостей считывпется и перезаписывается (операция обновления данных или refresh). В статических ОЗУ refresh не требуется, система проще и энергетически более выгодна. Однако у обоих типов ОЗУ принцип чтения примерно одинаков: предзаряд bit line = формирование начальной рабочей точки для усилителя считывния и далее установление электрического соединения элемента хранения с bit line путём выборки = открытие ключа и смещение рабочей точки по напрчжению, которую усилитель считывания затем интерпретирует/оцифровывпет как "1" или "0".
Спасибо друг за твой труд! Залипаю на твои видосы больше чем в детстве на телеканал Discovery Channel 😊👍 Спасибо еще раз!!!!
магнитные ленты кстати и сейчас используют. это не особо распространенный формат но все еще актуальный в определенных сферах.
Нужно. Пиши видос. Ждем.. Очень интересный канал.
Конечно хотим!
Очень хотелось бы видеть видео про жесткие диски, оптические диски, и т.д.)
Ну да, в интернете же совсем нет таких видео.
@@NixAxer Ну тут дело вкуса. Мне нравится этот автор и мне интересно посмотреть про это именно у него.
Напутано много. Перфоленты и карты сосуществовали с магнитными лентами и барабанами, но были удобнее как внешний портативный носитель.
Лайк за плавающий затвор!
конечно нужно, жду с нетерпением видео про диски, как жёсткие, так и оптические)))
Чувак я тебя слушаю очень внимательно до тех пор пока не начинаю залипать на асимметрию :D
Самое понятное объяснение!
Долго пытался узнать, как работает SSD память.
Всегда спрашивал, как работает, но ответ был типа там подается ток и там 1 или 0 в ячейке памяти остается, а как это работает никто не знал.
Спасибо автору этого канала за такой полезный труд ! Хороший канал. Редко такое щас найдешь.
Ради баланса вселенной!
Лучше комбинировать HDD и SSD, я например то, что часто перезаписывается закидываю на HDD, чтобы SSD не убивать, а то что нужно чтобы быстро работало и не часто перезаписывается записываю на SSD. Так же то, что нужно просто хранить долго пишу на HDD т.к. в случае выхода из строя проще данные восстановить, чем с SSD.
Здорово объяснили! Думал, что почти всё знал о памяти, но всё равно почерпнул много нового)
Много ошибок, если только совсем не в теме, то для очень отдалённого понимания норм. Ссылаться в дискуссиях на это видео не стоит.
Крутое видео, всё очень понятно стало! Хотелось бы увидеть видео про hhd и обычные диски)
Знакомые рассказывали, что программисты одного из закрытых НИИ во времена СССР развлекались с перфокартами и перфолентами. В итоге ЭВМ играла простенькую мелодию.
Позновательно
каммент, потому что автор просил) реклама с 04:43 до 06:57
спасибо за интересное и полезное видео
это прекрасно 🥺
Очень доступно и наглядно объяснено. Познавательно.
Нашел я как то в лесу платку 30 на 25см с кучей микросхем загуглил маркировку оказалось оперативка 1987 года на целых 0,5Мб
И у одной из микросхем тоже было такое окошко
Пока это самое красивое что я видел
Отличное видео спасибо магнитные ленты и сейчас используются в коммерческих накопителях их преимущества в том что они могут хранить информацию до 50 лет
мощно, в Учебники!
Нет
Очень круто ❤ мне понравилось
Самый шикарный канал из тех, что я знаю.
Качество видео вообще топ.
Канал очень хорош и автор молодец. Но этот ролик неудачный. Масса ошибок и материал проработан недостаточно.
@@dmitria6847 Не соглашусь с вами. Вы представляете себе объём трудозатрат, на создание такого контента? Уровень графики при создании видео!
Причём сам материал излагается максимально доступно для самой широкой аудитории. И всё это бесплатно.
Авторы просто заслуживают восхищения.
@@zhenya258объем работы представить себе могу. Это не оправдывает ошибки, неточности и поверхностную проработку теоретического материала.
Познавательно, гениально!
Конечно хотим отдельные видео :)
Очень интересное видео, и объяснение принципов работы выше всяческих похвал!
К сожалению, достаточно неточностей и недостаточные объем и глубина проработки темы. Не типично для канала. Но и невозможно быть во всём сведущим. И за эту популяризацию спасибо.
Лицо моего кумира!
Да хотим отдельное видео по жёстким дискам.
Александр. Ждем видео по жестким дискам с нетерпением. Хочется, чтобы свело олдскулы от слова "винчестер"))
ПРО ДИСКИ ХОТИМ!!!
Можно было ещё углубиться в количество состояний/ячеек и добавить типы памяти и как это всё согласутеся с долговечностью и быстродействием и где и почему используется.
Я про SLC, TLC, MLC, QLC и т.д. кэши и диски.
Да это самое важное, чего я не дождался и запарился искать в нете. Разные состояния заряда одного затвора как на практике увеличивают плотность записи? По логике затворов несколько или транзисторов в гирлянде по несколько типа как диод один светит а набран из трех
@@costea. Как? Просто. У тебя один и тот же транзистор хранит 2 бита вместо 1. Увеличение плотности от этого почти в 2 раза (управляющая электроника тоже должна немного вырасти, но кратно меньше, чем если городить в 2 раза больше транзисторов). Зачем несколько затворов? Всё решается на уровне обвязки, а не самого транзистора.
@@U2VR_Channel как один затвор или один транзистор может хранить несколько уровней? Особенно tlc qlc. Там по логике их три или четыре в последовательности и запись идет сначала как на однобитный (кстати динамический кэш) а потом как то уровни заряда навер зависят от силы напряжения и толщины затвора.
Отлично!!!
Спасибо за выпуск
Очень круто наблюдать ,что канал получил второе дыхание и так офигенно начал развиваться.
Можно ещё про магнитные носители рассказать🤓Аудио, видеокассеты и прочее📼💽
В колледже не так интересно рассказывают. Автору респект, и спасибо за видео ❤
Ну, так в колледже/школе/вузе задачи другие. Цели у преподавателей тоже другие. Если бы в колледже раз в неделю-две 10-15 минут преподавали всего лишь - то знаний бы было у учеников около нуля (зато интересно!), а уроки были бы примерно такие же хорошие. Чтобы понять, почему в школах, колледжах и вузах так "плохо" преподают - достаточно встать на место преподавателя. Я был на месте преподавателя, и поверь, это всё не от хорошей жизни там. Сплошная бюрократия. Ученики незаинтересованные, ибо не сами как вот ты сюда на видос пришёл, а все, кто попало. Зарплата такая, что не выжить. Постоянно работаешь на грани с выгоранием. Орущие на детей преподы - давно выгорели, а срывы - последствие этого. Сейчас после 4 лет преподавания 3 года программистом работаю, и проклинаю себя за потерянные 4 года.
Давай - давай про диски, про все, позвоночные тоже........)
Обязательно хотим видео про диски 👍
Лайк, не глядя!
Стопудово дядя
Согласен
Лайк не глядя, не продвигает видео. Алгоритмы Ютуба.
@@noground-xабсолютно верно, этого очень многие не понимают что лайк не глядя не продвигает а наоборот видео автора..
Ех эх чувак Как ты ошибаешься
Нихрена себе..ты ещк спрашиваешь хотим мы или нет? Ясен хрен что хотим! И более того,ждем с нетерпением!!!
Теперь я понял что это и как это происходит. Спасибо!!!
Очень интересное и познавательное видео, спасибо !
Да. Про диски сделайте тоже ролик
Как здорово что ты лицо открыл. Теперь приятнее в разы смотреть. А то как призрак был
Как раз изучал типы памяти для проекта
Комментарии в поддержку канала 👍
спасибо, было очень интересно
Про памяти и как работает, можете ещё посмотреть на канеле Droider те ребята тоже хорошо объясняют, что как работает. Я посмотрел ихние видео про памяти и смотрю это видео, скажу, что оба канала круто сделали контент, просто надо уметь, знать и чувствовать вот этот подход каждого канала. Здесь Николай рассказал с точки зрения электронщика, а там как с точки зрения комп.инженера. Спасибо огромное👍 больше успехов!
хрень какойто канал обо всём и ни о чём... Хотя сдесь тоже не сильно много то про эту память сказали...
@@GidraBOG 😆😆
Супер, классно как всегда! Давай есчо
Спасибо за видео. Теперь я стал умнее. Благодаря вам.
Хочу-хочу-хочу видос про диски 😃
17:50 если под состоянием понимается n-мерность, то раньше он был 2 мерным и мог хранить 2 состояния каждой ячейки, т.е. 2^2=4, то следующая мерность - 3 состояния, и это будет не "до пяти", а 2^3, т.е. до 8 состояний
А можно про ЭВМ всё от начала и до наших дней, по блочно, БП процессор память и т д.
Великолепно!!!!
10:36 Откуда в области P-типа свободные электроны !??!?
Спасибо! Пили про жесткие!
Чуть чуть бы высокие частоты подрезать в озвучке, по ушам бьёт..
А видео очень интересное, спасибо!
Было интересно.
на перфокарте 1 столбец это 8 позиций (1байт). 80 столбцов на карту, т.о на 1ГБ потребуется 1024*1024*1024 / 80 около 15млн. карт, положим вес граммов 10...
получается 100-200 тонн
Привет от серверных резервных магнитных лент на терабайты)))))))))))))
Ну и время было)) Когда одну фотку на 2-3 дискеты закидывали, чтобы на комп себе скопировать😂
Теперь буду ждать видео с процессором
Если раньше было 2 сосояния транзистора - открыт или закрыт, теперь их больше. Например на затворе сохранялся потенциал напряжения в 5 вольт, и со временем это напряжение снижалось. То теперь они сделали несколько таких состояний - значит время перехода с одного сост. в другое уменьшится пропорционально, в разы. Скажем от 5В это состояние открыт до 1,5В это закрыт пройдет 20 лет, современный имеет 16 состояний - а значит от перехода с одного значения в другое пройдет в 16 раз меньше времени и все - инфа потеряна! Сами производители не дают более 3х лет гарантии на хранение инфы на 3D NAND
Где-то в начале нулевых вышли последние бумажные журналы с обзором новшеств в технологиях памяти. Часть этих технологий прижилась, часть канула в лету, и непонятные и никем не комментируемые термины стали понятны когда мне на глаза попался старый такой журнал.
8:37 нафига там диоды? почему просто перемычками не обойтись?
Так вот как расшифровывается eeprom, было интересно узнать, спасибо)
Пожалуй посижу и дальше на хардах, еще мне думать нехватало о том сколько перезаписей осталось)
Доходчиво, спасибо